包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：40nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：35A

类型：MOSFET

导通电阻：7.6mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：40nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：35A

类型：MOSFET

导通电阻：7.6mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：40nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：35A

类型：MOSFET

导通电阻：7.6mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：40nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：35A

类型：MOSFET

导通电阻：7.6mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：40nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：35A

类型：MOSFET

导通电阻：7.6mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3

包装方式：Reel

漏源电压：40V

栅极电荷：40nC

工作温度：-55℃~+150℃

功率：52W

连续漏极电流：35A

导通电阻：7.6mΩ

阈值电压：1.2V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：40nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：35A

类型：MOSFET

导通电阻：7.6mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：40nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：35A

类型：MOSFET

导通电阻：7.6mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：40nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：35A

类型：MOSFET

导通电阻：7.6mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS443DN-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：40V

输入电容：4.37nF@20V

导通电阻：11.7mΩ@10V，15A

阈值电压：2.3V@250μA

工作温度：-55℃~+150℃

连续漏极电流：35A

功率：3.7W€52W

栅极电荷：135nC@10V

ECCN：EAR99

类型：1个P沟道

包装清单：商品主体 * 1