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    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订55个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订55个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP31D7LW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:2.6V@250μA

    栅极电荷:360pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:19pF@15V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:900mΩ@420mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订42个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订42个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP31D7LW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:2.6V@250μA

    栅极电荷:360pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:19pF@15V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:900mΩ@420mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP31D7LW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:2.6V@250μA

    栅极电荷:360pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:19pF@15V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:900mΩ@420mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP31D7LW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:2.6V@250μA

    栅极电荷:360pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:19pF@15V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:900mΩ@420mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 S-L2N7002SLT1G 起订129个装
    LRC Mosfet场效应管 S-L2N7002SLT1G 起订129个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):S-L2N7002SLT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:440pC@4.5V

    输入电容:35pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5pF@25V

    导通电阻:2.8Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 S-L2N7002SLT1G 起订1000个装
    LRC Mosfet场效应管 S-L2N7002SLT1G 起订1000个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):S-L2N7002SLT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:440pC@4.5V

    输入电容:35pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5pF@25V

    导通电阻:2.8Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 S-L2N7002SLT1G 起订3000个装
    LRC Mosfet场效应管 S-L2N7002SLT1G 起订3000个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):S-L2N7002SLT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:440pC@4.5V

    输入电容:35pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5pF@25V

    导通电阻:2.8Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 S-L2N7002SLT1G 起订1500个装
    LRC Mosfet场效应管 S-L2N7002SLT1G 起订1500个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):S-L2N7002SLT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:440pC@4.5V

    输入电容:35pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5pF@25V

    导通电阻:2.8Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 S-L2N7002SLT1G 起订201个装
    LRC Mosfet场效应管 S-L2N7002SLT1G 起订201个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):S-L2N7002SLT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:440pC@4.5V

    输入电容:35pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5pF@25V

    导通电阻:2.8Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP31D7LW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:2.6V@250μA

    栅极电荷:360pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:19pF@15V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:900mΩ@420mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:900pC@10V

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-13 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-13 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:900pC@10V

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.8Ω@10V,250mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0U-7 起订数75000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0U-7 起订数75000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:500pC@4.5V

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@4.5V,100mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002K-7 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002K-7 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:300pC@4.5V

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP31D7LW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:2.6V@250μA

    栅极电荷:360pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:19pF@15V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:900mΩ@420mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002KQ-7 起订数50个
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002KQ-7 起订数50个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:300pC@4.5V

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0U-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0U-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:500pC@4.5V

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@4.5V,100mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0U-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0U-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:500pC@4.5V

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@4.5V,100mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0U-7 起订数300个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0U-7 起订数300个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:500pC@4.5V

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@4.5V,100mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-13 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-13 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:900pC@10V

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.8Ω@10V,250mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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