采购热线 400-661-9010
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：S-L2N7002SLT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：440pC@4.5V
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@25V
导通电阻：2.8Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：S-L2N7002SLT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：440pC@4.5V
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@25V
导通电阻：2.8Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：S-L2N7002SLT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：440pC@4.5V
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@25V
导通电阻：2.8Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：S-L2N7002SLT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：440pC@4.5V
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@25V
导通电阻：2.8Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：S-L2N7002SLT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：440pC@4.5V
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@25V
导通电阻：2.8Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，250mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4.5V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：300pC@4.5V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：300pC@4.5V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4.5V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4.5V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4.5V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，250mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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