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    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020LDT-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020LDT-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3020LDT-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:670mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:393pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:20mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-13 起订37个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-13 起订37个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3401LDW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@10V

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:820mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:820mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:820mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-13 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-13 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3401LDW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@10V

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKS,115 起订数33000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKS,115 起订数33000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:375mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:440pC@4.5V

    输入电容:13pF@10V

    连续漏极电流:180mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:4.5Ω@10V,100mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-7 起订数30000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-7 起订数30000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMD63N03XTA 起订数50个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMD63N03XTA 起订数50个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.04W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:8nC@10V

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:135mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMD63N03XTA 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMD63N03XTA 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.04W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:8nC@10V

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:135mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:380pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.6pF@15V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:380pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.6pF@15V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:380pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.6pF@15V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF04DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF04DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISF04DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:2.6nF@15V

    连续漏极电流:108A€30A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:4mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:820mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订1250个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订1250个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:380pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.6pF@15V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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