品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.6nF@15V
连续漏极电流:108A€30A
类型:2个N沟道
导通电阻:4mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.6nF@15V
连续漏极电流:108A€30A
类型:2个N沟道
导通电阻:4mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.6nF@15V
连续漏极电流:108A€30A
类型:2个N沟道
导通电阻:4mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: