品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:1.3nC@5V
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.5Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.8nC@5V
输入电容:412pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.8nC@5V
输入电容:412pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.8nC@5V
输入电容:412pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.8nC@5V
输入电容:412pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.8nC@5V
输入电容:412pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.8nC@5V
输入电容:412pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.8nC@5V
输入电容:412pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:3.8nC@5V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:412pF@15V
导通电阻:38mΩ@10V,5.5A
功率:900mW
连续漏极电流:5.5A
阈值电压:3V@250μA
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJD4116NT1G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
类型:2个N沟道
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:427pF@15V
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:2.5A
功率:710mW
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: