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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2065U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：10.2nC@4.5V
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2065UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2065UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：10.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2065UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2065UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2065UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP4101LT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：15.23nC@4.5V
输入电容：882.51pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：97.26pF@6V
导通电阻：69mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM2087-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：750mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：1.182nF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
反向传输电容：108pF@10V
导通电阻：34mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM2087-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：750mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：1.182nF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
反向传输电容：108pF@10V
导通电阻：34mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2065UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：10.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2065UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：10.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2065UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2065UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：10.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2065UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2065UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2065UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP4101LT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：15.23nC@4.5V
输入电容：882.51pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：97.26pF@6V
导通电阻：69mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2065UQ-7
阈值电压：900mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
栅极电荷：10.2nC@4.5V
功率：900mW
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：808pF@15V
漏源电压：20V
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2065UQ-7
阈值电压：900mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
栅极电荷：10.2nC@4.5V
功率：900mW
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：808pF@15V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2065UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2065UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2065UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：10.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
