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    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:1.081nF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065U-13 起订43个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065U-13 起订43个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065UQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065UQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:1.081nF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065UQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订数12000个
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订数12000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:155mΩ@10V,1A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935BZ 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935BZ 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:1.36nF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:22mΩ@10V,6.9A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:18.4nC@10V

    输入电容:873pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,4A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065UQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065UQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 S-LNB2306ELT1G 起订100个装
    LRC Mosfet场效应管 S-LNB2306ELT1G 起订100个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):S-LNB2306ELT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:370pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:21pF@15V

    导通电阻:35mΩ@10V,6.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 LP4101LT1G 起订44个装
    LRC Mosfet场效应管 LP4101LT1G 起订44个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):LP4101LT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:15.23nC@4.5V

    输入电容:882.51pF@6V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:97.26pF@6V

    导通电阻:69mΩ@4.5V,2.8A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM2087-3/TR 起订44个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM2087-3/TR 起订44个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WPM2087-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:750mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:1.182nF@10V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:108pF@10V

    导通电阻:34mΩ@4.5V,5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM2087-3/TR 起订41个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM2087-3/TR 起订41个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WPM2087-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:750mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:1.182nF@10V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:108pF@10V

    导通电阻:34mΩ@4.5V,5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065UQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:1.081nF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KL3A-TP 起订54个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KL3A-TP 起订54个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:800pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN16M0UCA6-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN16M0UCA6-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN16M0UCA6-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.3V@1mA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    连续漏极电流:17A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订数10个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订数10个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:18.4nC@10V

    输入电容:873pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,4A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订数6000个
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订数6000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:155mΩ@10V,1A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KL3A-TP 起订5000个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KL3A-TP 起订5000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:800pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065UQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065UQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065UQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订数25个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订数25个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:18.4nC@10V

    输入电容:873pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,4A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8958B 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8958B 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:540pF@15V

    连续漏极电流:6.4A€4.5A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:26mΩ@6.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065UQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:1.081nF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065UQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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