品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5198NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:18.4nC@10V
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):S-LNB2306ELT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:370pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:21pF@15V
导通电阻:35mΩ@10V,6.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):S-LNB2306ELT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:370pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:21pF@15V
导通电阻:35mΩ@10V,6.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:18.4nC@10V
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5198NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:18.4nC@10V
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):S-LNB2306ELT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:370pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:21pF@15V
导通电阻:35mΩ@10V,6.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):S-LNB2306ELT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:370pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:21pF@15V
导通电阻:35mΩ@10V,6.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
连续漏极电流:750mA
功率:900mW
栅极电荷:800pC@4.5V
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:33pF@16V
阈值电压:1.1V@250μA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
功率:900mW
输入电容:1.081nF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):S-LNB2306ELT1G
阈值电压:1.5V@250μA
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
功率:900mW
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:370pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
反向传输电容:21pF@15V
导通电阻:35mΩ@10V,6.7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):S-LNB2306ELT1G
阈值电压:1.5V@250μA
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
功率:900mW
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:370pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
反向传输电容:21pF@15V
导通电阻:35mΩ@10V,6.7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5198NLT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:155mΩ@10V,1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:5.1nC@10V
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:155mΩ@10V,1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: