品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW
阈值电压:1.7V@250μA
栅极电荷:8.8nC@10V
输入电容:383pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:21mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:3.1A€4.6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V€12nC@2.5V
输入电容:800pF@8V
连续漏极电流:5A€4A
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:125pF@8V
导通电阻:38mΩ@4.5V,4.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8603_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:950pC@4.5V€1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V€36pF@25V
连续漏极电流:200mA€360mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V€6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V€60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:700mA€500mA
类型:N和P沟道
导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€3.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A€3.9A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFT8472DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA€130mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:10Ω@130mA,10V
漏源电压:60V€50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:3.1A€4.6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC67D8UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:580mW
阈值电压:1.25V@250μA€2.5V@250μA
栅极电荷:0.4pC@4.5V€7.3nC@4.5V
输入电容:443pF@16V€41pF@25V
连续漏极电流:390mA€2.9A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V€72mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:60V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFT8472DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA€130mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:10Ω@130mA,10V
漏源电压:60V€50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8603_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:950pC@4.5V€1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V€36pF@25V
连续漏极电流:200mA€360mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V€6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V€60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8603_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:950pC@4.5V€1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V€36pF@25V
连续漏极电流:200mA€360mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V€6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V€60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFT8472DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA€130mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:10Ω@130mA,10V
漏源电压:60V€50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€3.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A€3.9A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:1.3A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:3.1A€4.6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFT8472DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA€130mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:10Ω@130mA,10V
漏源电压:60V€50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8603_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA€2.5V@250μA
栅极电荷:950pC@4.5V€1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V€36pF@25V
连续漏极电流:200mA€360mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V€6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V€60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC1030UFDBQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.36W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1003pF@6V
连续漏极电流:5.1A
类型:N和P沟道互补型
导通电阻:34mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8603_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA€2.5V@250μA
栅极电荷:950pC@4.5V€1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V€36pF@25V
连续漏极电流:200mA€360mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V€6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V€60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:500mA€360mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:1.7Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:9.8nC@10V
输入电容:501pF@15V
连续漏极电流:6.5A€4.2A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:20mΩ@7.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8603_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:950pC@4.5V€1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V€36pF@25V
连续漏极电流:200mA€360mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V€6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V€60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:9.8nC@10V
输入电容:501pF@15V
连续漏极电流:6.5A€4.2A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:20mΩ@7.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFT8472DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA€130mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:10Ω@130mA,10V
漏源电压:60V€50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC67D8UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:580mW
阈值电压:1.25V@250μA€2.5V@250μA
栅极电荷:0.4pC@4.5V€7.3nC@4.5V
输入电容:443pF@16V€41pF@25V
连续漏极电流:390mA€2.9A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V€72mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:60V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: