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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V€12nC@2.5V
输入电容：800pF@8V
连续漏极电流：5A€4A
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：125pF@8V
导通电阻：38mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：390mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2710UV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V€700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V€42pF@16V
连续漏极电流：1.1A€800mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V€700mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2710UV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V€700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V€42pF@16V
连续漏极电流：1.1A€800mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V€700mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：390mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2710UV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V€700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V€42pF@16V
连续漏极电流：1.1A€800mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V€700mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V€12nC@2.5V
输入电容：800pF@8V
连续漏极电流：5A€4A
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：125pF@8V
导通电阻：38mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WCM2079-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1.5V@250μA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：20mΩ@10V，6A€23mΩ@10V，5.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WCM2079-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1.5V@250μA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：20mΩ@10V，6A€23mΩ@10V，5.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：220mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：2nC@4.5V
输入电容：43pF@10V
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：396mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V€5.7nC@4.5V
输入电容：705pF@10V€530pF@10V
连续漏极电流：3.7A€2.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：74mΩ@3A，4.5V€35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WCM2079-8/TR
阈值电压：1.5V@250μA
导通电阻：20mΩ@10V，6A€23mΩ@10V，5.5A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道+1个P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
功率：820mW
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
阈值电压：1V@250μA
类型：1个N沟道+1个P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA€430mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：670mA€530mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：20pF@16V
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：670mA€530mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：20pF@16V
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V€12nC@2.5V
输入电容：800pF@8V
连续漏极电流：5A€4A
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：125pF@8V
导通电阻：38mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
栅极电荷：730pC@4.5V
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：750pC@4.5V
连续漏极电流：485mA€370mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
栅极电荷：730pC@4.5V
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2315
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：390mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2315
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：390mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WCM2079-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1.5V@250μA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：20mΩ@10V，6A€23mΩ@10V，5.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
