采购热线 400-661-9010
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8810-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：1.15nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：145pF@10V
导通电阻：20mΩ@10V，7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8810-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：1.15nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：145pF@10V
导通电阻：20mΩ@10V，7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8810-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：1.15nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：145pF@10V
导通电阻：20mΩ@10V，7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8810-TP
导通电阻：20mΩ@10V，7A
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
反向传输电容：145pF@10V
输入电容：1.15nF@10V
类型：1个N沟道
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8810-TP
导通电阻：20mΩ@10V，7A
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
反向传输电容：145pF@10V
输入电容：1.15nF@10V
类型：1个N沟道
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
阈值电压：900mV@250μA
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：67pF@10V
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：1.82nC@4.5V
类型：1个N沟道
阈值电压：1.1V@250μA
漏源电压：20V
连续漏极电流：915mA
输入电容：110pF@16V
导通电阻：230mΩ@4.5V，600mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4001NT1G
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1.5V@100μA
类型：1个N沟道
输入电容：20pF@5V
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
导通电阻：3Ω@4.5V，10mA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：238mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：1.82nC@4.5V
类型：1个N沟道
阈值电压：1.1V@250μA
漏源电压：20V
连续漏极电流：915mA
输入电容：110pF@16V
导通电阻：230mΩ@4.5V，600mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
