销售单位:个
规格型号(MPN):AO4892
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:2个N沟道
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:2个N沟道
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:2个N沟道
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10.8nC@10V
输入电容:650pF@20V
连续漏极电流:6A€5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:2个N沟道
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10.8nC@10V
输入电容:650pF@20V
连续漏极电流:6A€5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.7V@250μA
栅极电荷:33nC@10V
输入电容:1.95nF@20V
连续漏极电流:10A
类型:2个N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10.8nC@10V
输入电容:650pF@20V
连续漏极电流:6A€5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.6V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:1.3nF@15V
连续漏极电流:11A
类型:2个N沟道
导通电阻:9.6mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4813
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.25nF@15V
连续漏极电流:7.1A
类型:2个P沟道
导通电阻:25mΩ@7.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:4A
阈值电压:2.8V@250μA
输入电容:415pF@50V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
功率:2W
栅极电荷:12nC@10V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.3nF@15V
连续漏极电流:11A
导通电阻:9.6mΩ@11A,10V
阈值电压:2.6V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
功率:2W
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:4A
阈值电压:2.8V@250μA
输入电容:415pF@50V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
功率:2W
栅极电荷:12nC@10V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: