采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6421_S1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：16.5nC@4.5V
输入电容：1.62nF@15V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2305B-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@4V
连续漏极电流：5.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6421_S1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：16.5nC@4.5V
输入电容：1.62nF@15V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@10V，2.1A
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZT603TA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：2A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：150MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.13V@20mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@500mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRS040P03FRATB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：5.2nC@5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：140mA
类型：1个N沟道
导通电阻：50Ω@10V，100mA
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN7612HDT1WG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.95nF@50V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.9pF@50V
导通电阻：8.5mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6000ENHTB1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：5V
栅极电荷：4.3nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：500mA
类型：MOSFET
导通电阻：8.8Ω
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6000ENHTB1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：5V
栅极电荷：4.3nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：500mA
类型：MOSFET
导通电阻：8.8Ω
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM9435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：845pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：80pF@15V
导通电阻：51mΩ@10V，5.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GQTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GQTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K24HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：21.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：25mΩ
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS130N03HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：8.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GQTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K24HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：21.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：25mΩ
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K24HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：21.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：25mΩ
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RXH070N03TB1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V
栅极电荷：5.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7A
类型：MOSFET
导通电阻：28mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K24HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：21.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：25mΩ
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K24HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：21.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：25mΩ
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS130N03HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：8.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K24HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：21.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：25mΩ
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
