品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LN7612HDT1WG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.95nF@50V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.9pF@50V
导通电阻:8.5mΩ@10V,1A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K52HZGTB
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3A
类型:MOSFET
导通电阻:170mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K52HZGTB
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:8.5nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3A
类型:MOSFET
导通电阻:170mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:4Ω@10V,1A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4892
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:2个N沟道
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K52HZGTB
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:8.5nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3A
类型:MOSFET
导通电阻:170mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LN7612HDT1WG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.95nF@50V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.9pF@50V
导通电阻:8.5mΩ@10V,1A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LN7612HDT1WG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.95nF@50V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.9pF@50V
导通电阻:8.5mΩ@10V,1A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K52HZGTB
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3A
类型:MOSFET
导通电阻:170mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K52HZGTB
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3A
类型:MOSFET
导通电阻:170mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K52HZGTB
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3A
类型:MOSFET
导通电阻:170mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K52HZGTB
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3A
类型:MOSFET
导通电阻:170mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: