采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDWA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDWA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDWA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDWA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2pF@25V
导通电阻：2Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2pF@25V
导通电阻：2Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDWA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDWA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：280mA
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDWA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：350@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDWA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：350@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：350@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：350@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDWA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDWA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：450mV@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：450mV@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：2.3V@1mA
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2pF@25V
导通电阻：1.7Ω@10V，250mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@250μA
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：1个P沟道
导通电阻：950mΩ@500mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：450mV@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：2.4V@250μA
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@10V，300mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002T-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2pF@25V
导通电阻：2Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@250μA
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：1个P沟道
导通电阻：950mΩ@500mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDWA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
