品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@100μA
输入电容:9.3pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@100μA
输入电容:9.3pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@100μA
输入电容:9.3pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@100μA
输入电容:9.3pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:3Ω@10mA,4V
功率:150mW
阈值电压:1.1V@100μA
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
漏源电压:20V
连续漏极电流:100mA
输入电容:9.3pF@3V
包装清单:商品主体 * 1
库存: