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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G7P03L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.5nF@15V
连续漏极电流：7A
类型：1个P沟道
导通电阻：19mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB4316EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.4V
栅极电荷：7.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4.5A
类型：MOSFET
导通电阻：57mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB4316EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.4V
栅极电荷：7.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4.5A
类型：MOSFET
导通电阻：57mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB4316EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.4V
栅极电荷：7.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4.5A
类型：MOSFET
导通电阻：57mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G7P03L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.5nF@15V
连续漏极电流：7A
类型：1个P沟道
导通电阻：19mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB4316EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.4V
栅极电荷：7.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4.5A
类型：MOSFET
导通电阻：57mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G7P03L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.5nF@15V
连续漏极电流：7A
类型：1个P沟道
导通电阻：19mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB4316EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.4V
栅极电荷：7.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4.5A
类型：MOSFET
导通电阻：57mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G7P03L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.5nF@15V
连续漏极电流：7A
类型：1个P沟道
导通电阻：19mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：100nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.6mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.2mΩ@10V，18.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.2mΩ@10V，18.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.2mΩ@10V，18.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6018LDR-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：13.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：869pF@30V
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：100nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.6mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.2mΩ@10V，18.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：7.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.5mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：100nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.6mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：100nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.6mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：13.9nC@10V
输入电容：869pF@30V
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.2mΩ@10V，18.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
