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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G7P03L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.5nF@15V
连续漏极电流：7A
类型：1个P沟道
导通电阻：19mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB4316EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.4V
栅极电荷：7.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4.5A
类型：MOSFET
导通电阻：57mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB4316EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.4V
栅极电荷：7.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4.5A
类型：MOSFET
导通电阻：57mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB4316EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.4V
栅极电荷：7.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4.5A
类型：MOSFET
导通电阻：57mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G7P03L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.5nF@15V
连续漏极电流：7A
类型：1个P沟道
导通电阻：19mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB4316EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.4V
栅极电荷：7.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4.5A
类型：MOSFET
导通电阻：57mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G7P03L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.5nF@15V
连续漏极电流：7A
类型：1个P沟道
导通电阻：19mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB4316EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.4V
栅极电荷：7.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4.5A
类型：MOSFET
导通电阻：57mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G7P03L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.5nF@15V
连续漏极电流：7A
类型：1个P沟道
导通电阻：19mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6018LDR-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：13.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：869pF@30V
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1004UFV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.385nF@6V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1004UFV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.385nF@6V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
