采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：132W
阈值电压：4V@239μA
栅极电荷：25nC@6V
输入电容：3.1nF@50V
连续漏极电流：113A
类型：1个N沟道
反向传输电容：23pF@50V
导通电阻：3.8mΩ@10V，46A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK125N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：132W
阈值电压：5V
栅极电荷：29nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：21A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK125N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：132W
阈值电压：5V
栅极电荷：29nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：21A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
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规格型号(MPN)：SIHK125N60E-T1-GE3
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功率：132W
阈值电压：5V
栅极电荷：29nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：21A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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功率：132W
阈值电压：5V
栅极电荷：29nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：21A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHK125N60E-T1-GE3
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功率：132W
阈值电压：5V
栅极电荷：29nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：21A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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功率：132W
反向传输电容：23pF@50V
导通电阻：3.8mΩ@10V，46A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
栅极电荷：25nC@6V
连续漏极电流：113A
漏源电压：100V
阈值电压：4V@239μA
输入电容：3.1nF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
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规格型号(MPN)：SIHK125N60E-T1-GE3
功率：132W
包装方式：Reel
连续漏极电流：21A
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：5V
漏源电压：600V
导通电阻：125mΩ
栅极电荷：29nC
类型：MOSFET
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品牌：ON SEMI
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功率：132W
反向传输电容：23pF@50V
导通电阻：3.8mΩ@10V，46A
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类型：1个N沟道
栅极电荷：25nC@6V
连续漏极电流：113A
漏源电压：100V
阈值电压：4V@239μA
输入电容：3.1nF@50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：132W
阈值电压：4V@239μA
栅极电荷：25nC@6V
输入电容：3.1nF@50V
连续漏极电流：113A
类型：1个N沟道
反向传输电容：23pF@50V
导通电阻：3.8mΩ@10V，46A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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