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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：150nC@10V
输入电容：2.6nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@10V，9.6A
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：150nC@10V
输入电容：2.6nF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@10V，8.4A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：190nC@10V
输入电容：2.8nF@25V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，3.6A
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
输入电容：2.038nF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：190nC@10V
输入电容：2.8nF@25V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，3.6A
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：150nC@10V
输入电容：2.6nF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@10V，8.4A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
输入电容：2.038nF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：150nC@10V
输入电容：2.6nF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@10V，8.4A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450APBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.038nF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.1nF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：150nC@10V
输入电容：2.6nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@10V，9.6A
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：200nC@10V
输入电容：3.1nF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.1nF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
