采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2435N8-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V
包装方式：Reel
连续漏极电流：231mA
类型：MOSFET
导通电阻：15Ω
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT30M75BFLLG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：5V
栅极电荷：57nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：75mΩ
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT60M75L2LLG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：893W
阈值电压：5V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8.93nF@25V
连续漏极电流：73A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@36.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2435N8-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V
包装方式：Reel
连续漏极电流：231mA
类型：MOSFET
导通电阻：15Ω
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT30M75BFLLG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：5V
栅极电荷：57nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：75mΩ
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT51F50J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：290nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11.6nF@25V
连续漏极电流：51A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@37A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT60GF120JRDQ3
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：7.08nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th))：3V@15V，100A
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
类型：NPT(非穿通型)
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT60M75L2LLG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：893W
阈值电压：5V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8.93nF@25V
连续漏极电流：73A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@36.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT30M75BFLLG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：5V
栅极电荷：57nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：75mΩ
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1kΩ@500μA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0606N3-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：1个P沟道
导通电阻：3.5Ω@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT51F50J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：290nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11.6nF@25V
连续漏极电流：51A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@37A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN1509N8-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@200mA，0V
漏源电压：90V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2435N8-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V
包装方式：Reel
连续漏极电流：231mA
类型：MOSFET
导通电阻：15Ω
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT60GF120JRDQ3
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：7.08nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th))：3V@15V，100A
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
类型：NPT(非穿通型)
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
销售单位：个
栅极阈值电压(Vge(th))：3.2V@15V，25A
关断延迟时间：122ns
关断损耗：0.427mJ
开启延迟时间：16ns
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
栅极电荷：203nC
类型：NPT(非穿通型)
导通损耗：0.742mJ
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2435N8-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V
包装方式：Reel
连续漏极电流：231mA
类型：MOSFET
导通电阻：15Ω
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2435N8-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V
包装方式：Reel
连续漏极电流：231mA
类型：MOSFET
导通电阻：15Ω
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
