品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ANX
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L150SNFRATL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):N0400P-ZK-E1-AY
工作温度:150℃
功率:1W€25W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD150N06TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E150GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€17.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD18N65M5
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD18N65M5
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD150N06TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ANX
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E150GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.9W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E150GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€17.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD18N65M5
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD150N06TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L150SNFRATL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD150N06TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L150SNFRATL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD18N65M5
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K513NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@100µA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD150N06TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E150GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€17.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L150SNFRATL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD150N06TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E150GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.9W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: