采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E070BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28.6mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLA5065
工作温度：150℃
功率：4.8W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：管件
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：4个N通道
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E070BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28.6mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E070BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28.6mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E070BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28.6mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E070BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28.6mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：18psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLA5086
工作温度：150℃
功率：5W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：管件
输入电容：790pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：5P沟道，共源
导通电阻：220mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
