品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10J80E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":4000,"19+":8236}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":4000,"19+":8236}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":4000,"19+":8236}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€40W
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10A80E,S4X
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9J90E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@900µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK58E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3400pF@30V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":4000,"19+":8236}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":4000,"19+":8236}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":4000,"19+":8236}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9J90E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9J90E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10A80E,S4X
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€40W
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK58E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3400pF@30V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9J90E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@900µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK58E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3400pF@30V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€40W
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}
规格型号(MPN):2SK4087LS-1E
输入电容:1200pF@30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:9.2A
功率:2W€40W
包装方式:管件
导通电阻:610mΩ@7A,10V
栅极电荷:46nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS-1E
输入电容:1200pF@30V
包装方式:管件
导通电阻:610mΩ@7A,10V
工作温度:150℃
栅极电荷:46nC@10V
漏源电压:600V
类型:N沟道
连续漏极电流:9.2A
功率:2W€40W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9A90E,S4X
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9A90E,S4X
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9A90E,S4X
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9A90E,S4X
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存: