品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTF025N03FRATL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW3N150
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:939pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@1.3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR025N03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:4.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDFP03N150CG
工作温度:150℃
功率:2W€32W
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:10.5Ω@1A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFW3N150
工作温度:150℃
功率:63W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:939pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@1.3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025N05TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STU4N52K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:334pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.6Ω@1.25A,10V
漏源电压:525V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW3N150
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:939pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@1.3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K318R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.8V@1mA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:107mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR025N05HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:3.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.5A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFW3N150
工作温度:150℃
功率:63W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:939pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@1.3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTF025N03FRATL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STU4N52K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:334pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.6Ω@1.25A,10V
漏源电压:525V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFW3N150
工作温度:150℃
功率:63W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:939pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@1.3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFW3N150
工作温度:150℃
功率:63W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:939pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@1.3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTF025N03FRATL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTF025N03FRATL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025N03TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:92mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR025N03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:4.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3A60DA(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025N03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:92mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025N05TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR025N03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025N05TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025N03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:92mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":17100,"23+":810,"MI+":540}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDTL03N150CG
工作温度:150℃
功率:2.5W€140W
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:10.5Ω@1.25A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":30,"23+":1800}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDTL03N150CG
工作温度:150℃
功率:2.5W€140W
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:10.5Ω@1.25A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUF025N02FRATL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUF025N02FRATL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K318R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:107mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: