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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：5.3Ω@230mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSS84T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：5.3Ω@230mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSS84AHZGT116
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功率：200mW
阈值电压：2.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
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类型：P沟道
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功率：200mW
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工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：5.3Ω@230mA，10V
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工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：5.3Ω@230mA，10V
漏源电压：60V
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类型：P沟道
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类型：P沟道
导通电阻：5.3Ω@230mA，10V
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行业应用：工业,汽车
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输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：5.3Ω@230mA，10V
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类型：P沟道
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阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
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类型：P沟道
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功率：200mW
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输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：5.3Ω@230mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84T116
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功率：200mW
阈值电压：2.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：5.3Ω@230mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AHZGT116
工作温度：150℃
功率：200mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
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类型：P沟道
导通电阻：5.3Ω@230mA，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSS84AHZGT116
工作温度：150℃
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
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类型：P沟道
导通电阻：5.3Ω@230mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AHZGT116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：5.3Ω@230mA，10V
漏源电压：60V
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