采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7NM60N
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU7NM60N
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8NM50N
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：364pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：790mΩ@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9N65M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8NM50N
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：364pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：790mΩ@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8NM50N
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：364pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：790mΩ@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7NM60N
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9N65M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9NM50N
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：790mΩ@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF7NM60N
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS5NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS5NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9N65M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N60M2
工作温度：150℃
功率：4W€67W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N65M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS5NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU7NM60N
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF7NM60N
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8NM50N
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：364pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：790mΩ@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF7NM60N
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF7NM60N
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8NM50N
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：364pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：790mΩ@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N65M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N65M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU7NM60N
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9N65M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9N65M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"21+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS5NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU7NM60N
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N60M2
工作温度：150℃
功率：4W€67W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
