品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUQ050N02TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RCD051N20TL
工作温度:150℃
功率:850mW€20W
阈值电压:5.25V@1mA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:760mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":2057}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6431-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD050N10TL
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P050SNTL1
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8005ANJFRGTL
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.1Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6C050UNTR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NM60N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8005ANJFRGTL
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.1Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUQ050N02TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZDX050N50
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:散装
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.43Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":63000,"17+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP602-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P050SNFRATL
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STU7NM60N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:363pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L050SNTL1
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD050N06TL
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8NM50N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9N65M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RCD051N20TL
工作温度:150℃
功率:850mW€20W
阈值电压:5.25V@1mA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:760mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD050N06TL
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P050SNFRATL
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD050N10TL
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8NM50N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8NM50N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P050SNTL1
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD050N06TL
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD050N10TL
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P050SNFRATL
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD050N10TL
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: