采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M51HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V€1550pF@25V
连续漏极电流：3A€2.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6M3TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：230mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M24FRATB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V€1700pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L14FE(TE85L，F)
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@10V€110pF@10V
连续漏极电流：800mA€720mA
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：366000，"16+"：2918，"17+"：30000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6635-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7pF@10V
连续漏极电流：400mA€1.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：3.7Ω@80mA，4V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L36FE，LM
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@10V
连续漏极电流：500mA€330mA
类型：N和P沟道
导通电阻：630mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6M2TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：1.5A€1A
类型：N和P沟道
导通电阻：240mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M51GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V€1550pF@25V
连续漏极电流：3A€2.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6M2T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6M2TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：1.5A€1A
类型：N和P沟道
导通电阻：240mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M51HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V€1550pF@25V
连续漏极电流：3A€2.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M10FRATB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V€850pF@10V
连续漏极电流：7A€4.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6M2TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：1.5A€1A
类型：N和P沟道
导通电阻：240mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8M51TR
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V€950pF@25V
连续漏极电流：2A€1.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：325mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M41TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L09FUTE85LF
工作温度：150℃
功率：300mW
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@5V
连续漏极电流：400mA€200mA
类型：N和P沟道
导通电阻：700mΩ@200MA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M24FRATB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V€1700pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M24FRATB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V€1700pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6M2TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：1.5A€1A
类型：N和P沟道
导通电阻：240mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M41GZETB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8M22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@20V€450pF@20V
连续漏极电流：4.5A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M3HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V€850pF@10V
连续漏极电流：5A€4.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8M51TB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@50V€1430pF@50V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M24FRATB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V€1700pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L35FE，LM
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@3V
连续漏极电流：180mA€100mA
类型：N和P沟道
导通电阻：3Ω@50mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6M2TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：1.5A€1A
类型：N和P沟道
导通电阻：240mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M51HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V€1550pF@25V
连续漏极电流：3A€2.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L40TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA€2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@15V€120pF@15V
连续漏极电流：1.6A€1.4A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M24FRATB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V€1700pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8MC5TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@30V€850pF@30V
连续漏极电流：3A€3.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
