品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW36NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2785pF@50V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB28NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2090pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW36NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2785pF@50V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW38N65M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB42N65M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4650pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@16.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP34NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2785pF@50V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB42N65M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4650pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@16.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK125V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4V@1.02mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@300V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB42N65M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4650pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@16.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK110U65Z,RQ
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4V@1.02mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@300V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB18NM80
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW42N65M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4650pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@16.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW42N65M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4650pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@16.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP34N65M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB80N20M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4329pF@50V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW38N65M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2090pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK110U65Z,RQ
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4V@1.02mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@300V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB33N65M2
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:41.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1790pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP38N65M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK110U65Z,RQ
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4V@1.02mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@300V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB38N65M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW34NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2785pF@50V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: