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    阈值电压: 3.5V@250μA
    类型: 1个N沟道
    当前匹配商品:90+
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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ182EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:395W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:96nC@10V

    输入电容:5.392nF@25V

    连续漏极电流:210A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ182EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:395W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:96nC@10V

    输入电容:5.392nF@25V

    连续漏极电流:210A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:394W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:102nC@10V

    输入电容:5.75nF@25V

    连续漏极电流:372A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:394W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:102nC@10V

    输入电容:5.75nF@25V

    连续漏极电流:372A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ182EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:395W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:96nC@10V

    输入电容:5.392nF@25V

    连续漏极电流:210A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:394W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:102nC@10V

    输入电容:5.75nF@25V

    连续漏极电流:372A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:394W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:102nC@10V

    输入电容:5.75nF@25V

    连续漏极电流:372A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    AOS Mosfet场效应管 AOK66613 起订数30个
    AOS Mosfet场效应管 AOK66613 起订数30个

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOK66613

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:15.6W€312W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5300pF@30V

    连续漏极电流:58.5A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ182EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:395W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:96nC@10V

    输入电容:5.392nF@25V

    连续漏极电流:210A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ184ER-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ184ER-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ184ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:600W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:240nC@10V

    输入电容:16.009nF@25V

    连续漏极电流:430A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ160EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ160EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ160EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:119nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.697nF@25V

    连续漏极电流:362A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:394W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:102nC@10V

    输入电容:5.75nF@25V

    连续漏极电流:372A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ184E-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ184E-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ184E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:600W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:272nC@10V

    输入电容:16.01nF@25V

    连续漏极电流:430A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订116个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订116个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":362,"22+":2215}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ160EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ160EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ160EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:119nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.697nF@25V

    连续漏极电流:362A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ160EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ160EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ160EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:119nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.697nF@25V

    连续漏极电流:362A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ184ER-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ184ER-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ184ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:600W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:240nC@10V

    输入电容:16.009nF@25V

    连续漏极电流:430A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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