包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB117N20NFD

工作温度：-55℃~+175℃

功率：300W

阈值电压：2V

栅极电荷：87nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：84A

类型：MOSFET

导通电阻：10.3mΩ

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：3000，"12+"：750，"13+"：950，"14+"：3992，"15+"：120}

包装规格(MPQ)：268psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：77nC@10V

包装方式：散装

输入电容：4.57nF@25V

连续漏极电流：35A

类型：1个N沟道

导通电阻：70mΩ@17A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：268psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：4V@1mA

栅极电荷：77nC@10V

包装方式：散装

输入电容：4.57nF@25V

连续漏极电流：35A

类型：1个N沟道

导通电阻：70mΩ@17A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：3000，"12+"：750，"13+"：950，"14+"：3992，"15+"：120}

包装规格(MPQ)：268psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：77nC@10V

包装方式：散装

输入电容：4.57nF@25V

连续漏极电流：35A

类型：1个N沟道

导通电阻：70mΩ@17A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTP86N20X4

工作温度：-55℃~+175℃

功率：300W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：70nC@10V

输入电容：2.25nF@25V

连续漏极电流：86A

类型：1个N沟道

导通电阻：13mΩ@43A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：3000，"12+"：750，"13+"：950，"14+"：3992，"15+"：120}

包装规格(MPQ)：268psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：77nC@10V

包装方式：散装

输入电容：4.57nF@25V

连续漏极电流：35A

类型：1个N沟道

导通电阻：70mΩ@17A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：3000，"12+"：750，"13+"：950，"14+"：3992，"15+"：120}

包装规格(MPQ)：268psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：77nC@10V

包装方式：散装

输入电容：4.57nF@25V

连续漏极电流：35A

类型：1个N沟道

导通电阻：70mΩ@17A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTQ130N20T

工作温度：-55℃~+175℃

功率：830W

阈值电压：5V@1mA

栅极电荷：150nC@10V

输入电容：8.8nF@25V

连续漏极电流：130A

类型：1个N沟道

导通电阻：16mΩ@65A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MD50N20

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：244nC@10V

输入电容：3.538nF@25V

连续漏极电流：50A

类型：1个N沟道

反向传输电容：280pF@25V

导通电阻：30mΩ@10V，25A

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP320N20N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：2V

栅极电荷：29nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：34A

类型：MOSFET

导通电阻：28mΩ

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：268psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：4V@1mA

栅极电荷：77nC@10V

包装方式：散装

输入电容：4.57nF@25V

连续漏极电流：35A

类型：1个N沟道

导通电阻：70mΩ@17A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTQ130N20T

工作温度：-55℃~+175℃

功率：830W

阈值电压：5V@1mA

栅极电荷：150nC@10V

输入电容：8.8nF@25V

连续漏极电流：130A

类型：1个N沟道

导通电阻：16mΩ@65A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB320N20N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：2V

栅极电荷：29nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：34A

类型：MOSFET

导通电阻：28mΩ

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB117N20NFD

工作温度：-55℃~+175℃

功率：300W

阈值电压：2V

栅极电荷：87nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：84A

类型：MOSFET

导通电阻：10.3mΩ

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFB38N20DPBF

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3.8W€300W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：91nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.9nF@25V

连续漏极电流：43A

类型：1个N沟道

导通电阻：54mΩ@10V，26A

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：50psc

规格型号(MPN)：IRFB38N20DPBF

栅极电荷：91nC@10V

输入电容：2.9nF@25V

连续漏极电流：43A

导通电阻：54mΩ@10V，26A

类型：1个N沟道

功率：3.8W€300W

阈值电压：5V@250μA

包装方式：管件

工作温度：-55℃~+175℃

ECCN：EAR99

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTQ130N20T

输入电容：8.8nF@25V

类型：1个N沟道

工作温度：-55℃~+175℃

阈值电压：5V@1mA

栅极电荷：150nC@10V

连续漏极电流：130A

漏源电压：200V

功率：830W

导通电阻：16mΩ@65A，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MD50N20

类型：1个N沟道

功率：250W

阈值电压：4V@250μA

连续漏极电流：50A

导通电阻：30mΩ@10V，25A

工作温度：-55℃~+175℃

输入电容：3.538nF@25V

反向传输电容：280pF@25V

栅极电荷：244nC@10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFB38N20DPBF

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3.8W€300W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：91nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.9nF@25V

连续漏极电流：43A

类型：1个N沟道

导通电阻：54mΩ@10V，26A

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFB38N20DPBF

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3.8W€300W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：91nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.9nF@25V

连续漏极电流：43A

类型：1个N沟道

导通电阻：54mΩ@10V，26A

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFB38N20DPBF

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3.8W€300W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：91nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.9nF@25V

连续漏极电流：43A

类型：1个N沟道

导通电阻：54mΩ@10V，26A

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP120N20NFD

工作温度：-55℃~+175℃

功率：300W

阈值电压：2V

栅极电荷：65nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：84A

类型：MOSFET

导通电阻：10.6mΩ

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTQ130N20T

输入电容：8.8nF@25V

类型：1个N沟道

工作温度：-55℃~+175℃

阈值电压：5V@1mA

栅极电荷：150nC@10V

连续漏极电流：130A

漏源电压：200V

功率：830W

导通电阻：16mΩ@65A，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：268psc

生产批次：{"11+"：3000，"12+"：750，"13+"：950，"14+"：3992，"15+"：120}

规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127

类型：1个N沟道

输入电容：4.57nF@25V

功率：250W

栅极电荷：77nC@10V

导通电阻：70mΩ@17A，10V

工作温度：-55℃~+175℃

连续漏极电流：35A

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB117N20NFD

工作温度：-55℃~+175℃

功率：300W

阈值电压：2V

栅极电荷：87nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：84A

类型：MOSFET

导通电阻：10.3mΩ

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTP60N20X4

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：33nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.45nF@25V

连续漏极电流：60A

类型：1个N沟道

导通电阻：21mΩ@30A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP320N20N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：2V

栅极电荷：29nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：34A

类型：MOSFET

导通电阻：28mΩ

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB320N20N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：2V

栅极电荷：29nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：34A

类型：MOSFET

导通电阻：28mΩ

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：160nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.355nF@25V

连续漏极电流：12A

类型：1个P沟道

导通电阻：213mΩ@1A，4V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB117N20NFD

工作温度：-55℃~+175℃

功率：300W

阈值电压：2V

栅极电荷：87nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：84A

类型：MOSFET

导通电阻：10.3mΩ

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1