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    漏源电压: 20V
    行业应用: 工业
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK4D16-20X 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK4D16-20X 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK4D16-20X

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:19W

    阈值电压:1.3V

    栅极电荷:15nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:26A

    类型:MOSFET

    导通电阻:16mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA413CEJW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA413CEJW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA413CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.3V@250μA

    栅极电荷:16nC@4.5V

    输入电容:1.35nF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK4D110-20PX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK4D110-20PX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK4D110-20PX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2W€7.5W

    阈值电压:1.3V@250μA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    输入电容:365pF@10V

    连续漏极电流:3.4A€6.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:96mΩ@3.4A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401CEJW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401CEJW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA401CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.75A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK4D110-20PX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK4D110-20PX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK4D110-20PX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2W€7.5W

    阈值电压:1.3V@250μA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    输入电容:365pF@10V

    连续漏极电流:3.4A€6.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:96mΩ@3.4A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPAX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPAX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30XPAX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:7.5W€660mW

    阈值电压:1.3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.039nF@10V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:33mΩ@5.2A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401CEJW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401CEJW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA401CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.3V@250μA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.75A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK4D110-20PX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK4D110-20PX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK4D110-20PX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2W€7.5W

    阈值电压:1.3V@250μA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    输入电容:365pF@10V

    连续漏极电流:3.4A€6.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:96mΩ@3.4A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA413CEJW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA413CEJW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA413CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.3V@250μA

    栅极电荷:16nC@4.5V

    输入电容:1.35nF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA413CEJW-T1_GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA413CEJW-T1_GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA413CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.3V@250μA

    栅极电荷:16nC@4.5V

    输入电容:1.35nF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDS6375 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6375 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6375

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:36nC@4.5V

    输入电容:2.694nF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2351ES-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2351ES-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2351ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:115mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPAX 起订30个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPAX 起订30个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30XPAX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:7.5W€660mW

    阈值电压:1.3V@250μA

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.039nF@10V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:33mΩ@5.2A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2351ES-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2351ES-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2351ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:115mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA413CEJW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA413CEJW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA413CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.3V@250μA

    栅极电荷:16nC@4.5V

    输入电容:1.35nF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA413CEJW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA413CEJW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA413CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.3V@250μA

    栅极电荷:16nC@4.5V

    输入电容:1.35nF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPAX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPAX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30XPAX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:7.5W€660mW

    阈值电压:1.3V@250μA

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.039nF@10V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:33mΩ@5.2A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3493EV-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3493EV-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3493EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5W

    阈值电压:600mV

    栅极电荷:22.7nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:8A

    类型:MOSFET

    导通电阻:21mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6375 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6375 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6375

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:36nC@4.5V

    输入电容:2.694nF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT50N02D 起订34个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT50N02D 起订34个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT50N02D

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:26.4nC@10V

    输入电容:1.23nF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:190pF@10V

    导通电阻:7mΩ@10V,20A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401EEJ-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401EEJ-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA401EEJ-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.5V

    栅极电荷:5.3nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:2.68A

    类型:MOSFET

    导通电阻:113mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401CEJW-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401CEJW-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA401CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.75A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3469EV-T1_BE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3469EV-T1_BE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3469EV-T1_BE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@25μA

    栅极电荷:27nC@10V

    输入电容:1.02nF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:36mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6375 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6375 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6375

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:36nC@4.5V

    输入电容:2.694nF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401CEJW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401CEJW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA401CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.75A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401CEJW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401CEJW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA401CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.75A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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