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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT50N02D 起订34个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT50N02D 起订34个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT50N02D

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:26.4nC@10V

    输入电容:1.23nF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:190pF@10V

    导通电阻:7mΩ@10V,20A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订14个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订14个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    功率:13.6W

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    输入电容:525pF@10V

    栅极电荷:8nC@4.5V

    连续漏极电流:7.8A

    工作温度:-55℃~+175℃

    阈值电压:1.1V@250μA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT50N02D 起订500个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT50N02D 起订500个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT50N02D

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:26.4nC@10V

    输入电容:1.23nF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:190pF@10V

    导通电阻:7mΩ@10V,20A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT50N02D 起订100个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT50N02D 起订100个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT50N02D

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:26.4nC@10V

    输入电容:1.23nF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:190pF@10V

    导通电阻:7mΩ@10V,20A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT50N02D 起订39个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT50N02D 起订39个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT50N02D

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:26.4nC@10V

    输入电容:1.23nF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:190pF@10V

    导通电阻:7mΩ@10V,20A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT50N02D 起订27个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT50N02D 起订27个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT50N02D

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:26.4nC@10V

    输入电容:1.23nF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:190pF@10V

    导通电阻:7mΩ@10V,20A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订13个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订13个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订15000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2310ES-T1_GE3 起订数1个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2310ES-T1_GE3 起订数1个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    输入电容:485pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:30mΩ@4.5V,5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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