品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S4L-12
工作温度:-55℃~+175℃
功率:94W
阈值电压:1.1V
栅极电荷:49nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:60A
类型:MOSFET
导通电阻:9.8mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK60S10N1L,LXHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:180W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:60A
类型:MOSFET
导通电阻:6.11mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S4L-12
工作温度:-55℃~+175℃
功率:94W
阈值电压:1.1V
栅极电荷:49nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:60A
类型:MOSFET
导通电阻:9.8mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S4L-12
工作温度:-55℃~+175℃
功率:94W
阈值电压:1.1V
栅极电荷:49nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:60A
类型:MOSFET
导通电阻:9.8mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK60S10N1L,LXHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:180W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:60A
类型:MOSFET
导通电阻:6.11mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S4L-12
工作温度:-55℃~+175℃
功率:94W
阈值电压:1.1V
栅极电荷:49nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:60A
类型:MOSFET
导通电阻:9.8mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S4L-12
工作温度:-55℃~+175℃
功率:94W
阈值电压:1.1V
栅极电荷:49nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:60A
类型:MOSFET
导通电阻:9.8mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK60S10N1L,LXHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:180W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:60A
类型:MOSFET
导通电阻:6.11mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK60S10N1L,LXHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:180W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:60A
类型:MOSFET
导通电阻:6.11mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S4L-12
工作温度:-55℃~+175℃
功率:94W
阈值电压:1.1V
栅极电荷:49nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:60A
类型:MOSFET
导通电阻:9.8mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S4L-12
工作温度:-55℃~+175℃
功率:94W
阈值电压:1.1V
栅极电荷:49nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:60A
类型:MOSFET
导通电阻:9.8mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S4L-12
功率:94W
包装方式:Reel
阈值电压:1.1V
导通电阻:9.8mΩ
连续漏极电流:60A
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:49nC
漏源电压:100V
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK60S10N1L,LXHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:180W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:60A
类型:MOSFET
导通电阻:6.11mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG60N10P
工作温度:-55℃~+175℃
功率:160W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:3.72nF@25V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:183pF@25V
导通电阻:14.5mΩ@10V,30A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG60N10P
工作温度:-55℃~+175℃
功率:160W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:3.72nF@25V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:183pF@25V
导通电阻:14.5mΩ@10V,30A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG60N10P
工作温度:-55℃~+175℃
功率:160W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:3.72nF@25V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:183pF@25V
导通电阻:14.5mΩ@10V,30A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG60N10P
工作温度:-55℃~+175℃
功率:160W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:3.72nF@25V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:183pF@25V
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漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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