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销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：3.4V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：7.93nF@50V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：3.4V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：7.93nF@50V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533KCS
工作温度：-55℃~+175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.67nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：3.4V@250μA
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
输入电容：7.93nF@50V
漏源电压：100V
栅极电荷：98nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
