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    阈值电压
    栅极电荷
    工作温度: -55℃~+175℃
    漏源电压: 100V
    类型: 1个N沟道
    阈值电压: 3.4V@250μA
    栅极电荷: 98nC@10V
    当前匹配商品:3
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    TI Mosfet场效应管 CSD19535KTTT 起订数350个
    TI Mosfet场效应管 CSD19535KTTT 起订数350个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:300W

    阈值电压:3.4V@250μA

    栅极电荷:98nC@10V

    输入电容:7.93nF@50V

    连续漏极电流:200A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19535KTTT 起订数500个
    TI Mosfet场效应管 CSD19535KTTT 起订数500个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:300W

    阈值电压:3.4V@250μA

    栅极电荷:98nC@10V

    输入电容:7.93nF@50V

    连续漏极电流:200A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

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    TI Mosfet场效应管 CSD19535KTTT 起订数350个
    TI Mosfet场效应管 CSD19535KTTT 起订数350个

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    阈值电压:3.4V@250μA

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    功率:300W

    输入电容:7.93nF@50V

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