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    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP036N10A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7.295nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP045N10A-F102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP045N10A-F102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP045N10A-F102

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.27nF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@10V,100A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB7446PBF 起订数1000个
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB7446PBF 起订数1000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:99W

    阈值电压:3.9V@100μA

    栅极电荷:93nC@10V

    输入电容:3.183nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@10V,70A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E3R2-55C,127 起订500个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E3R2-55C,127 起订500个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":4973}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6E3R2-55C,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:258nC@10V

    输入电容:15.3nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E2R3-40C,127 起订1000个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E2R3-40C,127 起订1000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6E2R3-40C,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    输入电容:15.1nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E4R0-75C,127 起订500个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E4R0-75C,127 起订500个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":4000,"17+":15000,"9999":992}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6E4R0-75C,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:234nC@10V

    输入电容:15.45nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120N06S402ATMA2 起订数500个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120N06S402ATMA2 起订数500个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@140μA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:15.75nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120N06S402ATMA2 起订数10个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120N06S402ATMA2 起订数10个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@140μA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:15.75nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP045N10A-F102 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP045N10A-F102 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP045N10A-F102

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.27nF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@10V,100A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4110PBF 起订数100个
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4110PBF 起订数100个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:370W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:210nC@10V

    输入电容:9.62nF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@10V,75A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP045N10A-F102 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP045N10A-F102 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP045N10A-F102

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.27nF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@10V,100A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E4R0-75C,127 起订328个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E4R0-75C,127 起订328个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6E4R0-75C,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.8V@1mA

    栅极电荷:234nC@10V

    输入电容:15.45nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP036N10A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7.295nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI024N06N3 G 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI024N06N3 G 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI024N06N3 G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:250W

    阈值电压:3V@196μA

    栅极电荷:206nC@10V

    输入电容:17nF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:120pF@30V

    导通电阻:1.8mΩ@10V,100A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP054N10

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:203nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13.28nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI024N06N3 G 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI024N06N3 G 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI024N06N3 G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:250W

    阈值电压:3V@196μA

    栅极电荷:206nC@10V

    输入电容:17nF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:120pF@30V

    导通电阻:1.8mΩ@10V,100A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订130个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订130个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":222}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP054N10

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:203nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13.28nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E2R3-40C,127 起订373个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E2R3-40C,127 起订373个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6E2R3-40C,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    输入电容:15.1nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP036N10A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7.295nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP024N06N3 G 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP024N06N3 G 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP024N06N3 G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@196μA

    栅极电荷:275nC@10V

    输入电容:23nF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@10V,100A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP036N10A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7.295nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK752R3-40E,127 起订1000个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK752R3-40E,127 起订1000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":995,"9999":275}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK752R3-40E,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:293W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:109.2nC@10V

    输入电容:8.5nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB7446PBF 起订数200个
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB7446PBF 起订数200个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:99W

    阈值电压:3.9V@100μA

    栅极电荷:93nC@10V

    输入电容:3.183nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@10V,70A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订200个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订200个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP036N10A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7.295nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E2R3-40C,127 起订500个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E2R3-40C,127 起订500个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6E2R3-40C,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    输入电容:15.1nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E3R2-55C,127 起订300个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E3R2-55C,127 起订300个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":4973}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6E3R2-55C,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:258nC@10V

    输入电容:15.3nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP036N10A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7.295nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB7446PBF 起订数500个
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB7446PBF 起订数500个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:99W

    阈值电压:3.9V@100μA

    栅极电荷:93nC@10V

    输入电容:3.183nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@10V,70A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP054N10

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:203nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13.28nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP036N10A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7.295nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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