品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP036N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7.295nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP045N10A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.27nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10V,100A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:99W
阈值电压:3.9V@100μA
栅极电荷:93nC@10V
输入电容:3.183nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.3mΩ@10V,70A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":4973}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6E3R2-55C,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:306W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:258nC@10V
输入电容:15.3nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6E2R3-40C,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:306W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
输入电容:15.1nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":4000,"17+":15000,"9999":992}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6E4R0-75C,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:306W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:234nC@10V
输入电容:15.45nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140μA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:15.75nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140μA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:15.75nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP045N10A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.27nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10V,100A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:370W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:210nC@10V
输入电容:9.62nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10V,75A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP045N10A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.27nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10V,100A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6E4R0-75C,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:306W
阈值电压:2.8V@1mA
栅极电荷:234nC@10V
输入电容:15.45nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP036N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7.295nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI024N06N3 G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@196μA
栅极电荷:206nC@10V
输入电容:17nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
反向传输电容:120pF@30V
导通电阻:1.8mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI024N06N3 G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@196μA
栅极电荷:206nC@10V
输入电容:17nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
反向传输电容:120pF@30V
导通电阻:1.8mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":222}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6E2R3-40C,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:306W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
输入电容:15.1nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP036N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7.295nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP024N06N3 G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:4V@196μA
栅极电荷:275nC@10V
输入电容:23nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.4mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP036N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7.295nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":995,"9999":275}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK752R3-40E,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:293W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:109.2nC@10V
输入电容:8.5nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:99W
阈值电压:3.9V@100μA
栅极电荷:93nC@10V
输入电容:3.183nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.3mΩ@10V,70A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP036N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7.295nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6E2R3-40C,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:306W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
输入电容:15.1nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":4973}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6E3R2-55C,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:306W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:258nC@10V
输入电容:15.3nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP036N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7.295nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:99W
阈值电压:3.9V@100μA
栅极电荷:93nC@10V
输入电容:3.183nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.3mΩ@10V,70A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP036N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7.295nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: