采购热线 400-661-9010
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT15P04D
工作温度：-55℃~+175℃
功率：50W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：930pF@20V
连续漏极电流：15A
类型：1个P沟道
反向传输电容：35pF@20V
导通电阻：29mΩ@10V，7.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK15S04N1L，LXHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：15A
类型：MOSFET
导通电阻：17.8mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT15N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：31W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：85pF@25V
导通电阻：80mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530
工作温度：-55℃~+175℃
功率：31W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：85pF@25V
导通电阻：80mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK15S04N1L，LXHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：15A
类型：MOSFET
导通电阻：17.8mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK15S04N1L，LXHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：15A
类型：MOSFET
导通电阻：17.8mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK15S04N1L，LXHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：15A
类型：MOSFET
导通电阻：17.8mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530
工作温度：-55℃~+175℃
功率：31W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：85pF@25V
导通电阻：80mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK15S04N1L，LXHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：15A
类型：MOSFET
导通电阻：17.8mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：2591}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD15N06LT4G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：19.2nC@10V
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V，10A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：34W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK15S04N1L，LXHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：15A
类型：MOSFET
导通电阻：17.8mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK15S04N1L，LXHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：15A
类型：MOSFET
导通电阻：17.8mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT15N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：31W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：85pF@25V
导通电阻：80mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK15S04N1L，LXHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：15A
类型：MOSFET
导通电阻：17.8mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK15S04N1L，LXHQ
功率：46W
阈值电压：2.5V
包装方式：Reel
漏源电压：40V
工作温度：-55℃~+175℃
连续漏极电流：15A
栅极电荷：10nC
导通电阻：17.8mΩ
ECCN：EAR99
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD15N06LT4G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MASPOWER
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MS15N100HGT1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：67.9W
阈值电压：5V@100μA
栅极电荷：61nC
输入电容：2.7nF
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF
导通电阻：900mΩ@10V，7.5A
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD15N06LT4G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：34W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP15P10PL H
工作温度：-55℃~+175℃
功率：128W
阈值电压：4V
栅极电荷：47nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：15A
类型：MOSFET
导通电阻：200mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.7W€62W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：95mΩ@10V，15A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.7W€62W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：95mΩ@10V，15A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.7W€62W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：95mΩ@10V，15A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：2591}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD15N06LT4G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：34W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG15N10P
工作温度：-55℃~+175℃
功率：31W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：85pF@25V
导通电阻：80mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530
工作温度：-55℃~+175℃
功率：31W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：85pF@25V
导通电阻：80mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG15N10P
工作温度：-55℃~+175℃
功率：31W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：85pF@25V
导通电阻：80mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
