品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH4R10ANB,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:70A
类型:MOSFET
导通电阻:4.1mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH4R10ANB,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:70A
类型:MOSFET
导通电阻:4.1mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH4R10ANB,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:70A
类型:MOSFET
导通电阻:4.1mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH4R10ANB,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:70A
类型:MOSFET
导通电阻:4.1mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH4R10ANB,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:70A
类型:MOSFET
导通电阻:4.1mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH4R10ANB,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:70A
类型:MOSFET
导通电阻:4.1mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH4R10ANB,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:70A
类型:MOSFET
导通电阻:4.1mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH4R10ANB,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:70A
类型:MOSFET
导通电阻:4.1mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):5000psc
规格型号(MPN):XPH4R10ANB,L1XHQ
阈值电压:3.5V
包装方式:Reel
功率:170W
连续漏极电流:70A
导通电阻:4.1mΩ
栅极电荷:75nC
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.27nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10V,53A
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.27nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10V,53A
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.27nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10V,53A
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.27nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10V,53A
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L080N120SC1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:2.75V@5mA
栅极电荷:56nC@-5V/20V
包装方式:管件
输入电容:1.112nF@800V
连续漏极电流:29A
类型:1个N沟道
反向传输电容:6.5pF@800V
导通电阻:80mΩ@20V,20A
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:9.4mΩ@10V,53A
阈值电压:4V@250μA
输入电容:3.27nF@25V
栅极电荷:110nC@10V
漏源电压:75V
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
连续漏极电流:75A
包装清单:商品主体 * 1
库存: