包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYN110N120A4
ECCN:EAR99
包装方式:管件
栅极阈值电压(Vge(th)):1.8V@15V,110A
关断延迟时间:550ns
关断损耗:8.4mJ
开启延迟时间:42ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:305nC
类型:PT(穿通型)
导通损耗:2.5mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP150N15X4
工作温度:-55℃~+175℃
功率:480W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
输入电容:5.5nF@25V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@75A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYP60N65A5
ECCN:EAR99
包装方式:管件
栅极阈值电压(Vge(th)):1.35V@15V,36A
关断延迟时间:230ns
关断损耗:1.45mJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:128nC
类型:PT(穿通型)
导通损耗:0.6mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYH30N120B4
栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,25A
关断延迟时间:245ns
反向恢复时间:60ns
关断损耗:2.6mJ
开启延迟时间:20ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:58nC
类型:PT(穿通型)
导通损耗:4.4mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP86N20X4
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:2.25nF@25V
连续漏极电流:86A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@43A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYN110N120C4
ECCN:EAR99
输入电容:5.42nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th)):2.4V@15V,110A
集电极截止电流(Ices):1.2kV
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP150N15X4
工作温度:-55℃~+175℃
功率:480W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
输入电容:5.5nF@25V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@75A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP150N15X4
工作温度:-55℃~+175℃
功率:480W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
输入电容:5.5nF@25V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@75A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP150N15X4
工作温度:-55℃~+175℃
功率:480W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
输入电容:5.5nF@25V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@75A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYN110N120C4
ECCN:EAR99
输入电容:5.42nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th)):2.4V@15V,110A
集电极截止电流(Ices):1.2kV
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP130N10T2
工作温度:-55℃~+175℃
功率:360W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.6nF@25V
连续漏极电流:130A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.1mΩ@65A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP130N10T2
工作温度:-55℃~+175℃
功率:360W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.6nF@25V
连续漏极电流:130A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.1mΩ@65A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYP60N65A5
ECCN:EAR99
包装方式:管件
栅极阈值电压(Vge(th)):1.35V@15V,36A
关断延迟时间:230ns
关断损耗:1.45mJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:128nC
类型:PT(穿通型)
导通损耗:0.6mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ130N20T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:830W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:8.8nF@25V
连续漏极电流:130A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@65A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX400N15X4
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.5kW
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:430nC@10V
输入电容:14.5nF@25V
连续漏极电流:400A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ130N20T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:830W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:8.8nF@25V
连续漏极电流:130A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@65A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYH90N65A5
栅极阈值电压(Vge(th)):1.35V@15V,60A
关断延迟时间:420ns
关断损耗:3.4mJ
开启延迟时间:40ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:260nC
类型:PT(穿通型)
导通损耗:1.3mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ130N20T
输入电容:8.8nF@25V
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
连续漏极电流:130A
漏源电压:200V
功率:830W
导通电阻:16mΩ@65A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYP20N120C4
反向恢复时间:53ns
关断损耗:1mJ
集电极截止电流(Ices):1.2kV
导通损耗:4.4mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ130N20T
输入电容:8.8nF@25V
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
连续漏极电流:130A
漏源电压:200V
功率:830W
导通电阻:16mΩ@65A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:IGBT
销售单位:个
关断损耗:0.5mJ
反向恢复时间:25ns
集电极截止电流(Ices):600V
工作温度:-55℃~+175℃
导通损耗:0.55mJ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX400N15X4
输入电容:14.5nF@25V
类型:1个N沟道
漏源电压:150V
功率:1.5kW
栅极电荷:430nC@10V
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
阈值电压:4.5V@1mA
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:400A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP60N20X4
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.45nF@25V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYP60N65A5
ECCN:EAR99
包装方式:管件
栅极阈值电压(Vge(th)):1.35V@15V,36A
关断延迟时间:230ns
关断损耗:1.45mJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:128nC
类型:PT(穿通型)
导通损耗:0.6mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYN110N120A4
ECCN:EAR99
包装方式:管件
栅极阈值电压(Vge(th)):1.8V@15V,110A
关断延迟时间:550ns
关断损耗:8.4mJ
开启延迟时间:42ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:305nC
类型:PT(穿通型)
导通损耗:2.5mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX400N15X4
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.5kW
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:430nC@10V
输入电容:14.5nF@25V
连续漏极电流:400A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ130N10T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:360W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:104nC@10V
输入电容:5.08nF@25V
连续漏极电流:130A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.1mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: