包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYN110N120A4
ECCN:EAR99
包装方式:管件
栅极阈值电压(Vge(th)):1.8V@15V,110A
关断延迟时间:550ns
关断损耗:8.4mJ
开启延迟时间:42ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:305nC
类型:PT(穿通型)
导通损耗:2.5mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYP60N65A5
ECCN:EAR99
包装方式:管件
栅极阈值电压(Vge(th)):1.35V@15V,36A
关断延迟时间:230ns
关断损耗:1.45mJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:128nC
类型:PT(穿通型)
导通损耗:0.6mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP130N10T2
工作温度:-55℃~+175℃
功率:360W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.6nF@25V
连续漏极电流:130A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.1mΩ@65A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP130N10T2
工作温度:-55℃~+175℃
功率:360W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.6nF@25V
连续漏极电流:130A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.1mΩ@65A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYP60N65A5
ECCN:EAR99
包装方式:管件
栅极阈值电压(Vge(th)):1.35V@15V,36A
关断延迟时间:230ns
关断损耗:1.45mJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:128nC
类型:PT(穿通型)
导通损耗:0.6mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP60N20X4
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.45nF@25V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYP60N65A5
ECCN:EAR99
包装方式:管件
栅极阈值电压(Vge(th)):1.35V@15V,36A
关断延迟时间:230ns
关断损耗:1.45mJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:128nC
类型:PT(穿通型)
导通损耗:0.6mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYN110N120A4
ECCN:EAR99
包装方式:管件
栅极阈值电压(Vge(th)):1.8V@15V,110A
关断延迟时间:550ns
关断损耗:8.4mJ
开启延迟时间:42ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:305nC
类型:PT(穿通型)
导通损耗:2.5mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ200N10T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:550W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9.4nF@25V
连续漏极电流:200A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP130N10T2
工作温度:-55℃~+175℃
功率:360W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.6nF@25V
连续漏极电流:130A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.1mΩ@65A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP130N10T2
工作温度:-55℃~+175℃
功率:360W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.6nF@25V
连续漏极电流:130A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.1mΩ@65A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYP60N65A5
ECCN:EAR99
包装方式:管件
栅极阈值电压(Vge(th)):1.35V@15V,36A
关断延迟时间:230ns
关断损耗:1.45mJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:128nC
类型:PT(穿通型)
导通损耗:0.6mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXXH75N60C3D1
类型:PT(穿通型)
集电极截止电流(Ices):600V
导通损耗:1.6mJ
关断延迟时间:90ns
栅极电荷:107nC
栅极阈值电压(Vge(th)):2.3V@15V,60A
反向恢复时间:25ns
工作温度:-55℃~+175℃
开启延迟时间:35ns
包装方式:管件
关断损耗:0.8mJ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYH30N170C
包装方式:管件
栅极阈值电压(Vge(th)):3.7V@15V,30A
关断延迟时间:150ns
关断损耗:3.3mJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):1.7kV
栅极电荷:140nC
导通损耗:5.9mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: