包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STP80NF55

工作温度：-55℃~+175℃

功率：300W

阈值电压：2V

栅极电荷：189nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：80A

类型：MOSFET

导通电阻：5mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGWA100H65DFB2

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，100A

关断延迟时间：130ns

反向恢复时间：123ns

关断损耗：1.4mJ

开启延迟时间：30ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：288nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：2.2mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGW75H65DFB2-4

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，75A

关断延迟时间：121ns

反向恢复时间：88ns

关断损耗：0.766mJ

开启延迟时间：22ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：207nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.992mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STP80NF55

工作温度：-55℃~+175℃

功率：300W

阈值电压：2V

栅极电荷：189nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：80A

类型：MOSFET

导通电阻：5mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGWA50HP65FB2

包装方式：管件

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，50A

关断延迟时间：115ns

反向恢复时间：140ns

关断损耗：0.58mJ

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：151nC

类型：FS(场截止)

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，6A

关断延迟时间：90ns

反向恢复时间：140ns

关断损耗：0.2mJ

开启延迟时间：15ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：21.2nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.036mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，80A

关断延迟时间：280ns

反向恢复时间：85ns

关断损耗：1.5mJ

开启延迟时间：84ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：414nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：2.1mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，80A

关断延迟时间：280ns

反向恢复时间：85ns

关断损耗：1.5mJ

开启延迟时间：84ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：414nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：2.1mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGWA100H65DFB2

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，100A

关断延迟时间：130ns

反向恢复时间：123ns

关断损耗：1.4mJ

开启延迟时间：30ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：288nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：2.2mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：150nC@10V

输入电容：9.13nF@40V

连续漏极电流：110A

类型：1个N沟道

导通电阻：6.5mΩ@10V，55A

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGW100H65FB2-4

栅极阈值电压(Vge(th))：1.8V@15V，100A

关断延迟时间：141ns

关断损耗：1.14mJ

开启延迟时间：23ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：288nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：1.06mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGW75H65DFB2-4

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，75A

关断延迟时间：121ns

反向恢复时间：88ns

关断损耗：0.766mJ

开启延迟时间：22ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：207nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.992mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGWA100H65DFB2

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，100A

关断延迟时间：130ns

反向恢复时间：123ns

关断损耗：1.4mJ

开启延迟时间：30ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：288nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：2.2mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：30W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：60nC@10V

输入电容：1.3nF@25V

连续漏极电流：50A

类型：1个N沟道

反向传输电容：105pF@25V

导通电阻：15mΩ@10V，27.5A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：30W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：60nC@10V

输入电容：1.3nF@25V

连续漏极电流：50A

类型：1个N沟道

反向传输电容：105pF@25V

导通电阻：15mΩ@10V，27.5A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SCTH40N120G2V-7

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：5V

栅极电荷：63nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：33A

类型：MOSFET

导通电阻：75mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGW50H65DFB2-4

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，50A

关断延迟时间：128ns

反向恢复时间：92ns

关断损耗：0.478mJ

开启延迟时间：18ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：151nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.629mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGW100H65FB2-4

栅极阈值电压(Vge(th))：1.8V@15V，100A

关断延迟时间：141ns

关断损耗：1.14mJ

开启延迟时间：23ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：288nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：1.06mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：600psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGWA50H65DFB2

包装方式：Tube

集电极脉冲电流(Icm)：86A

集电极截止电流(Ices)：650V

类型：IGBT管

集电极电流(Ic)：1.55V

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGD20N45LZAG

包装方式：卷带（TR）

栅极阈值电压(Vge(th))：1.25V@4V，6A

关断延迟时间：4.6μs

开启延迟时间：1.1μs

集电极截止电流(Ices)：450V

栅极电荷：26nC

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGWA20IH65DF

栅极阈值电压(Vge(th))：2.05V@15V，20A

关断延迟时间：120ns

关断损耗：0.11mJ

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：56nC

类型：FS(场截止)

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGF20H65DFB2

栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，20A

关断延迟时间：78.8ns

反向恢复时间：215ns

关断损耗：0.214mJ

开启延迟时间：16ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：56nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.265mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STD20NF06LT4

工作温度：-55℃~175℃

功率：60W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：13nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：660pF@25V

连续漏极电流：24A

类型：N沟道

导通电阻：40mΩ@12A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，20A

关断延迟时间：78.8ns

反向恢复时间：215ns

关断损耗：0.214mJ

开启延迟时间：16ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：56nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.265mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STP80N6F6

工作温度：-55℃~175℃

功率：120W

阈值电压：4.5V@250µA

栅极电荷：122nC@10V

包装方式：管件

输入电容：7480pF@25V

连续漏极电流：110A

类型：N沟道

导通电阻：5.8mΩ@50A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，6A

关断延迟时间：90ns

反向恢复时间：140ns

关断损耗：0.2mJ

开启延迟时间：15ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：21.2nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.036mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：300W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：182nC@10V

输入电容：5.5nF@25V

连续漏极电流：80A

类型：1个N沟道

导通电阻：15mΩ@10V，40A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，6A

关断延迟时间：90ns

反向恢复时间：140ns

关断损耗：0.2mJ

开启延迟时间：15ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：21.2nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.036mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STD20NF06LT4

工作温度：-55℃~175℃

功率：60W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：13nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：660pF@25V

连续漏极电流：24A

类型：N沟道

导通电阻：40mΩ@12A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGWA100H65DFB2

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，100A

关断延迟时间：130ns

反向恢复时间：123ns

关断损耗：1.4mJ

开启延迟时间：30ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：288nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：2.2mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1