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    品牌: ST
    工作温度: -55℃~+175℃
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:20+
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    ST IGBT STGD20N45LZAG 起订2500个装
    ST IGBT STGD20N45LZAG 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGD20N45LZAG

    包装方式:卷带(TR)

    栅极阈值电压(Vge(th)):1.25V@4V,6A

    关断延迟时间:4.6μs

    开启延迟时间:1.1μs

    集电极截止电流(Ices):450V

    栅极电荷:26nC

    工作温度:-55℃~+175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGB30H65DFB2 起订100个装
    ST IGBT STGB30H65DFB2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGB30H65DFB2

    包装方式:卷带(TR)

    栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,30A

    关断延迟时间:71ns

    反向恢复时间:115ns

    关断损耗:0.31mJ

    开启延迟时间:18.4ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:90nC

    类型:FS(场截止)

    导通损耗:0.27mJ

    工作温度:-55℃~+175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGB30H65DFB2 起订500个装
    ST IGBT STGB30H65DFB2 起订500个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGB30H65DFB2

    包装方式:卷带(TR)

    栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,30A

    关断延迟时间:71ns

    反向恢复时间:115ns

    关断损耗:0.31mJ

    开启延迟时间:18.4ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:90nC

    类型:FS(场截止)

    导通损耗:0.27mJ

    工作温度:-55℃~+175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGB30H65DFB2 起订10个装
    ST IGBT STGB30H65DFB2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGB30H65DFB2

    包装方式:卷带(TR)

    栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,30A

    关断延迟时间:71ns

    反向恢复时间:115ns

    关断损耗:0.31mJ

    开启延迟时间:18.4ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:90nC

    类型:FS(场截止)

    导通损耗:0.27mJ

    工作温度:-55℃~+175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGB30H65DFB2 起订2个装
    ST IGBT STGB30H65DFB2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGB30H65DFB2

    包装方式:卷带(TR)

    栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,30A

    关断延迟时间:71ns

    反向恢复时间:115ns

    关断损耗:0.31mJ

    开启延迟时间:18.4ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:90nC

    类型:FS(场截止)

    导通损耗:0.27mJ

    工作温度:-55℃~+175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGB30H65DFB2 起订1000个装
    ST IGBT STGB30H65DFB2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGB30H65DFB2

    包装方式:卷带(TR)

    栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,30A

    关断延迟时间:71ns

    反向恢复时间:115ns

    关断损耗:0.31mJ

    开启延迟时间:18.4ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:90nC

    类型:FS(场截止)

    导通损耗:0.27mJ

    工作温度:-55℃~+175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD95N4F3 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD95N4F3 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD95N4F3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.2nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL8N10LF3 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STL8N10LF3 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8N10LF3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.3W€70W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD95N4F3 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STD95N4F3 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD95N4F3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.2nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD110N8F6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD110N8F6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD110N8F6

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:167W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.13nF@40V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@40A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB16NF06LT4 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB16NF06LT4 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB16NF06LT4

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:45W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:90mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB55NF06LT4 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB55NF06LT4 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB55NF06LT4

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:95W

    阈值电压:4.7V@250μA

    栅极电荷:37nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.7nF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:18mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGB30H65DFB2 起订1000个装
    ST IGBT STGB30H65DFB2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGB30H65DFB2

    包装方式:卷带(TR)

    栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,30A

    关断延迟时间:71ns

    反向恢复时间:115ns

    关断损耗:0.31mJ

    开启延迟时间:18.4ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:90nC

    类型:FS(场截止)

    导通损耗:0.27mJ

    工作温度:-55℃~+175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB55NF06LT4 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STB55NF06LT4 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB55NF06LT4

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:95W

    阈值电压:4.7V@250μA

    栅极电荷:37nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.7nF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:18mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB140NF55T4 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB140NF55T4 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB140NF55T4

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:142nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.3nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD110N8F6 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD110N8F6 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD110N8F6

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:167W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.13nF@40V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@40A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD140N6F7 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD140N6F7 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD140N6F7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:134W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.1nF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:193pF@30V

    导通电阻:3.1mΩ@10V,40A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD110N8F6 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STD110N8F6 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD110N8F6

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:167W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.13nF@40V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@40A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD140N6F7 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STD140N6F7 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD140N6F7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:134W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.1nF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:193pF@30V

    导通电阻:3.1mΩ@10V,40A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB16NF06LT4 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STB16NF06LT4 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB16NF06LT4

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:45W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:90mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD95N4F3 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD95N4F3 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD95N4F3

    功率:110W

    连续漏极电流:80A

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    漏源电压:40V

    阈值电压:4V@250μA

    输入电容:2.2nF@25V

    工作温度:-55℃~+175℃

    栅极电荷:54nC@10V

    导通电阻:6.5mΩ@40A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD30NF06LT4 起订10000个装
    ST Mosfet场效应管 STD30NF06LT4 起订10000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD30NF06LT4

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.6nF@25V

    类型:1个N沟道

    功率:70W

    漏源电压:60V

    导通电阻:28mΩ@10V,18A

    阈值电压:2.5V@250μA

    工作温度:-55℃~+175℃

    连续漏极电流:35A

    栅极电荷:31nC@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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