品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K335R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K335R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K335R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K335R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K335R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF(T
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
功率:1W
连续漏极电流:6A
阈值电压:2.5V@100μA
导通电阻:28mΩ@10V,5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF(T
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
功率:1W
连续漏极电流:6A
阈值电压:2.5V@100μA
导通电阻:28mΩ@10V,5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF(T
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
功率:1W
连续漏极电流:6A
阈值电压:2.5V@100μA
导通电阻:28mΩ@10V,5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K335R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K335R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K335R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K361R,LF
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@100μA
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:69mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K361R,LF
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:69mΩ@2A,10V
输入电容:430pF@15V
功率:1.2W
连续漏极电流:3.5A
漏源电压:100V
阈值电压:2.5V@100μA
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF(T
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
功率:1W
连续漏极电流:6A
阈值电压:2.5V@100μA
导通电阻:28mΩ@10V,5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: