品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N15AFU,LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13.5pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"19+":15000}
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L09FUTE85LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1.8V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:400mA€200mA
类型:N和P沟道
导通电阻:700mΩ@200MA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L09FUTE85LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1.8V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:400mA€200mA
类型:N和P沟道
导通电阻:700mΩ@200MA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N37FU,LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L09FUTE85LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1.8V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:400mA€200mA
类型:N和P沟道
导通电阻:700mΩ@200MA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N15AFU,LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13.5pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L09FUTE85LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1.8V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:400mA€200mA
类型:N和P沟道
导通电阻:700mΩ@200MA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N37FU,LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N37FU,LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N37FU,LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N37FU,LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L09FUTE85LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1.8V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:400mA€200mA
类型:N和P沟道
导通电阻:700mΩ@200MA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N15AFU,LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13.5pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L09FUTE85LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1.8V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:400mA€200mA
类型:N和P沟道
导通电阻:700mΩ@200MA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N37FU,LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N15AFU,LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13.5pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"19+":15000}
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"19+":15000}
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"19+":15000}
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L09FUTE85LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1.8V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:400mA€200mA
类型:N和P沟道
导通电阻:700mΩ@200MA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L09FUTE85LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1.8V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:400mA€200mA
类型:N和P沟道
导通电阻:700mΩ@200MA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"19+":15000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):100nA(ICBO)
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:300mW
晶体管类型:2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N37FU,LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N15AFU,LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13.5pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L09FUTE85LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1.8V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:400mA€200mA
类型:N和P沟道
导通电阻:700mΩ@200MA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L09FUTE85LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1.8V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:400mA€200mA
类型:N和P沟道
导通电阻:700mΩ@200MA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L09FUTE85LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1.8V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:400mA€200mA
类型:N和P沟道
导通电阻:700mΩ@200MA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N37FU,LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N15AFU,LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13.5pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: