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    品牌: 东芝(TOSHIBA)
    ECCN: EAR99
    功率: 300mW
    当前匹配商品:40+
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    价格
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N15AFU,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N15AFU,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N15AFU,LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.5pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.6Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA 数字晶体管 RN1608(TE85L,F) 起订4613个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN1608(TE85L,F) 起订4613个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"19+":15000}

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:300mW

    晶体管类型:2个NPN-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4613
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L09FUTE85LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L09FUTE85LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6L09FUTE85LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.8V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:400mA€200mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:700mΩ@200MA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L09FUTE85LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L09FUTE85LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6L09FUTE85LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.8V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:400mA€200mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:700mΩ@200MA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N37FU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N37FU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N37FU,LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L09FUTE85LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L09FUTE85LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6L09FUTE85LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.8V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:400mA€200mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:700mΩ@200MA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N15AFU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N15AFU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N15AFU,LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.5pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.6Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L09FUTE85LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L09FUTE85LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6L09FUTE85LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.8V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:400mA€200mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:700mΩ@200MA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N37FU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N37FU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N37FU,LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N37FU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N37FU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N37FU,LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N37FU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N37FU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N37FU,LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N37FU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N37FU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N37FU,LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L09FUTE85LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L09FUTE85LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6L09FUTE85LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.8V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:400mA€200mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:700mΩ@200MA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N15AFU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N15AFU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N15AFU,LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.5pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.6Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L09FUTE85LF 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L09FUTE85LF 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6L09FUTE85LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.8V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:400mA€200mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:700mΩ@200MA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N37FU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N37FU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N37FU,LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:75000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N15AFU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N15AFU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N15AFU,LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.5pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.6Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2610(TE85L,F)
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2610(TE85L,F)

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"19+":15000}

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:300mW

    晶体管类型:2个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    TOSHIBA 数字晶体管 RN1610(TE85L,F)
    TOSHIBA 数字晶体管 RN1610(TE85L,F)

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"19+":15000}

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:300mW

    晶体管类型:2个NPN-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    TOSHIBA 数字晶体管 RN1609(TE85L,F)
    TOSHIBA 数字晶体管 RN1609(TE85L,F)

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"19+":15000}

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):70@10mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:300mW

    晶体管类型:2个NPN-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4613
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L09FUTE85LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L09FUTE85LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6L09FUTE85LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.8V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:400mA€200mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:700mΩ@200MA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L09FUTE85LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L09FUTE85LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6L09FUTE85LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.8V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:400mA€200mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:700mΩ@200MA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2507(TE85L,F)
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2507(TE85L,F)

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"19+":15000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA(ICBO)

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:47千欧

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 10mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:200MHz

    功率:300mW

    晶体管类型:2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N37FU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N37FU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N37FU,LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N15AFU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N15AFU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N15AFU,LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.5pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.6Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L09FUTE85LF 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L09FUTE85LF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6L09FUTE85LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.8V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:400mA€200mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:700mΩ@200MA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L09FUTE85LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L09FUTE85LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6L09FUTE85LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.8V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:400mA€200mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:700mΩ@200MA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L09FUTE85LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L09FUTE85LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6L09FUTE85LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.8V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:400mA€200mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:700mΩ@200MA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N37FU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N37FU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N37FU,LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N15AFU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N15AFU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N15AFU,LF

    工作温度:150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.5pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.6Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
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