品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK31Z60X,S1F
工作温度:150℃
功率:230W
阈值电压:3.5V@1.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@300V
连续漏极电流:30.8A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@9.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A65W5,S5X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@8.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4A80E,S4X
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@400µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:148A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10J80E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK62N60W,S1VF
工作温度:150℃
功率:400W
阈值电压:3.7V@3.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@300V
连续漏极电流:61.8A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@30.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK16E60W,S1VX
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:3.7V@790µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@300V
连续漏极电流:15.8A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TW015N65C,S1F
工作温度:175℃
功率:342W
阈值电压:5V@11.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4850pF@400V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@50A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK30E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK040N65Z,S1F
工作温度:150℃
功率:360W
阈值电压:4V@2.85mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@300V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@28.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:148A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK14N65W5,S1F
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4.5V@690µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@300V
连续漏极电流:13.7A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@6.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK39N60W5,S1VF
工作温度:150℃
功率:270W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@300V
连续漏极电流:38.8A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@19.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GT30N135SRA,S1E
ECCN:EAR99
包装方式:管件
栅极阈值电压(Vge(th)):2.6V@15V,60A
关断损耗:1.3mJ
集电极截止电流(Ices):1.35kV
栅极电荷:270nC
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A80W,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@300V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK31J60W,S1VQ
工作温度:150℃
功率:230W
阈值电压:3.7V@1.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@300V
连续漏极电流:30.8A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@15.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK22E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:72W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:13.8mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK22A65X5,S5X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@300V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK31E60X,S1X
工作温度:150℃
功率:230W
阈值电压:3.5V@1.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@300V
连续漏极电流:30.8A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@9.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK30E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK28A65W,S5X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@1.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@300V
连续漏极电流:27.6A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@13.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK8R2A06PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1990pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@8A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK8R2A06PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1990pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@8A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK56A12N1,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@60V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@28A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK31N60X,S1F
工作温度:150℃
功率:230W
阈值电压:3.5V@1.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@300V
连续漏极电流:30.8A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@9.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A80W,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@300V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK750A60F,S4X
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1130pF@300V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: