品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P35AFE,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L14FE(TE85L,F)
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@10V€110pF@10V
连续漏极电流:800mA€720mA
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N37FE,LM(T
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K36FS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.23nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L36FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:500mA€330mA
类型:N和P沟道
导通电阻:630mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:630mΩ@5V,200mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N16FE,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.3pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AMFV,L3F
功率:150mW
阈值电压:1V@100μA
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L35FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@3V
连续漏极电流:180mA€100mA
类型:N和P沟道
导通电阻:3Ω@50mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V€100pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J36FS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:330mA
类型:P沟道
导通电阻:1.31Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J66MFV,L3XHF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N16FE,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.3pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J66MFV,L3XHF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J66MFV,L3XHF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J56MFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J66MFV,L3XHF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J66MFV,L3XHF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J66MFV,L3XHF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K36MFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.23nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N16FE,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.3pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K36MFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.23nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K37MFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J66MFV,L3XHF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: