品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3564(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K344R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K344R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K344R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:2nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K344R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K344R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K336R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:126pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K336R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:126pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K344R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:2nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K336R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:126pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K336R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:126pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K336R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:126pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K344R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K336R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:126pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K344R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3564(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K336R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:126pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K336R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:126pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K344R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:2nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3564(STA4,Q,M)
输入电容:700pF@25V
漏源电压:900V
工作温度:150℃
功率:40W
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:3A
包装方式:管件
导通电阻:4.3Ω@1.5A,10V
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K336R,LF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:1.7nC@4.5V
连续漏极电流:3A
导通电阻:95mΩ@2A,10V
输入电容:126pF@15V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K336R,LF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:1.7nC@4.5V
连续漏极电流:3A
导通电阻:95mΩ@2A,10V
输入电容:126pF@15V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K344R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K344R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K344R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:2nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K336R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:126pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K336R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:126pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3564(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3P50D,RQ(S
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3P50D,RQ(S
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: